Si 재료 절감

Si재료를 절약함으로서 비용삭감..!
결정Si형은 Si재료의 절약이 저비용화의 열쇠를 쥐고 있다. 이를 위하여서는 얇은 기판을 사용한 셀 제조기술뿐이 아니라 얇른 기판을 만드는 기술도 중요하게 된다. 종래의 기계식 와이어소에서도 기판두께 약100미크론을 실현할 수 있다. 다만 종래에 비하여 잘려나가는 부분의 비율이 많아져 버린다. 와이어소를 너무 가늘게 하면 강도를 유지할 수 없기 때문이다. 잘려나가는 부분과 기판의 두께의 합계로 보면 200미크론이 한계가 아닐까하고 생각한다.

200미크론을 실현한다면 Si의 소비량을 현재의 절반정도까지 줄일 수 있다. 그 다음에는 비기계식과 비접촉식의 방법이 필요하게 된다. 예를들어 레이저와 발전, 에칭등을 이용하는 방법이 제안되고 있다. 다만 100미크론이하의 기판두께에서는 캐리어가 뒷면에서 재결합하여 소실되기 쉬워진다. 이 재결합은 뒷면의 전체면에 형성되고 있는 A1인쇄전극에서 발생한다. 해결을 위해서는 전극의 면적을 줄이는 것이 필요하게 된다. 예를들어 국소적인 콘택트 홀을 형성하는 방법이 하나의 방책이 될 것이다. A1인쇄전극과 Si웨이퍼의 사이에 절연층을 형성하고 A1인쇄전극과 si웨이퍼를 콘택트 홀에서 접속한다. 과제가 되는 국소 콘택트형성의 생산성 향상에 관해서는 SiN막을 준적한 위에서부터 레이저로 스루홀콘택트를 형성하는 기술은 독일의 Frounhofer Institute가 개발하고 있다. 

[출처] (태양전지)기술개발의 방향 1 ( 밍그라빠의 디스플레이 포털) |작성자 레이스김