기억

스 페인의 태양전지 보조금 제도가 크게 수정될 전망이다. 보조금액의 대폭 삭감과 상한의 설정 등으로 인하여 2009년 이후의 스페인 태양전지 년간 도입량은 대폭 줄어들 가능성이 있다. 앞으로 스페인 이외의 나라에서도 보조금 제도의 감액이 진행될 것이다. 사용자가 부담해야 할 감액에 의한 마이너스 분을 커버하기 위해서는 태양전지 시스템의 저비용화를 실현하지 않으면 안된다. 보조금제의 수정 직전인 2008년 9월1일~5일에 스페인 발렌시아에서 개최된 태양전지 관련기술에 관한 국제 학회와 전시회 '제23회 EU PVSEC'에서 저비용화 기술의 최신동향을 살펴본다. (이글은 마이크로 디바이스 10월호에 실린 특집 기사를 전문 번역한 것입니다. ) ' 설마 여기까지 내려갈 줄이야.. 예상하지 못했다.'(복수의 태..

Si재료를 절약함으로서 비용삭감..! 결정Si형은 Si재료의 절약이 저비용화의 열쇠를 쥐고 있다. 이를 위하여서는 얇은 기판을 사용한 셀 제조기술뿐이 아니라 얇른 기판을 만드는 기술도 중요하게 된다. 종래의 기계식 와이어소에서도 기판두께 약100미크론을 실현할 수 있다. 다만 종래에 비하여 잘려나가는 부분의 비율이 많아져 버린다. 와이어소를 너무 가늘게 하면 강도를 유지할 수 없기 때문이다. 잘려나가는 부분과 기판의 두께의 합계로 보면 200미크론이 한계가 아닐까하고 생각한다. 200미크론을 실현한다면 Si의 소비량을 현재의 절반정도까지 줄일 수 있다. 그 다음에는 비기계식과 비접촉식의 방법이 필요하게 된다. 예를들어 레이저와 발전, 에칭등을 이용하는 방법이 제안되고 있다. 다만 100미크론이하의 기판두..

반도체 부재 기술총람...지난 4월에 이어 이번달에 제2회를 번역 게재합니다..(11월까지 매월 1회씩 갱신) ================================================================================================ Si웨이퍼는 전자기기의 진화를 뒷받침하는 중요한 출발재료이며 LSI의 진전에 크게 공헌해 왔다. 이 글에서는 Si웨이퍼 제조의 핵심이 되는 결정인양 시의 결함제어와 웨이퍼 가공을 중심으로 Si웨이퍼 기술의 동향을 해설한다. 디바이스의 미세화 대응과 웨이퍼의 대구경화의 실현 가능성의 검토가 주요한 과제가 된다. 결함, 금속오염, 평탄성을 제어 Si웨이퍼의 제조 프로세스는 크게 세개의 공정에서 이루어진다. 다결정 Si를 원료로써..

회로 패턴 나오도록 웨이퍼 갈고 닦고 반도체 박막 그려넣기 도와 식각장비 대당 100억원까지 한국, 일본업체와 본격경쟁 하나의 반도체는 손톱 크기만큼 작고 앏은 실리콘 칩에 불과하지만, 그 안에는 트랜지스터ㆍ다이오드ㆍ저항ㆍ캐패시터 등 수만 개의 미세한 부품들로 가득 차 있습니다. 하지만 머리카락 굵기의 8만분의 1 크기의 `나노미터'(㎚, 10억분의 1미터)급 부품들 각각을 따로 만들어 하나의 칩에 내장할 수는 없습니다. 대신 각각의 부품과 이를 전기적으로 연결하는 회로를 하나의 패턴(회로설계도)으로 만들어, 반도체 내 여러 층의 얇은 막(박막)에 그려 넣는 방식을 사용하게 됩니다. 이때 박막이 형성된 기판(웨이퍼) 위에 불필요한 부분을 제거해 회로 패턴이 드러나도록 하는 과정이 바로 식각(etching..